石英坩堝是一種耐溫性強(qiáng)、純度高的器皿，在我們的生活中應(yīng)用廣泛。拉單晶時(shí)有很好的效果。但是很多人不太了解產(chǎn)品晶體中氧含量的影響。接下來(lái)，讓我們了解一下：
　　1、單晶中氧的主要來(lái)源
　　雖然坩堝的熔點(diǎn)高于硅料的熔點(diǎn)，但熔融的液態(tài)硅在高溫下會(huì)腐蝕坩堝，導(dǎo)致少量氧氣進(jìn)入晶體。在硅的熔點(diǎn)附近(1420，硅用坩堝作用，溶解，生成SIO并進(jìn)入硅溶液。然后一氧化硅通過(guò)機(jī)械對(duì)流、熱對(duì)流等轉(zhuǎn)移到熔體表面。所以到達(dá)硅熔體表面的一氧化硅以氣體的形式揮發(fā)，而剩下的一部分一氧化硅溶解在液態(tài)硅中，然后以氧原子的形式進(jìn)入晶體，從而影響單晶的氧含量。
　　2、坩堝防止釋放氧含量的措施
　　氧氣主要來(lái)自石英坩堝，因此如何減少坩堝中氧氣的釋放是降低單晶氧含量的重要手段，產(chǎn)品質(zhì)量直接關(guān)系到釋放物的釋放程度。實(shí)際上，坩堝中氧氣的釋放過(guò)程就是坩堝的氣泡層穿透透明層將氧氣釋放到硅液中的過(guò)程，在坩堝內(nèi)層燒結(jié)一層約3-5mm的透明層，從而保證坩堝內(nèi)表面的純凈度，防止坩堝軟化點(diǎn)過(guò)低。因此，坩堝透明層的質(zhì)量決定了坩堝氣泡的釋放程度。
　　以上是小編與您分享的關(guān)于石英坩堝對(duì)晶體中氧含量的影響。分別介紹了單晶中氧的來(lái)源和坩堝防止氧含量釋放的措施。希望可以幫助你更順利的使用石英坩堝。